power transistor

 

импульсный источник электропитания с коммутацией тока на первичной стороне
-

In primary switch mode power supplies, the AC mains voltage is first rectified and smoothed and then chopped ("switched"). Chopping means that the DC voltage is switched periodically at a frequency of 40 to 200 kHz using a power transistor.
In contrast to linearly regulated power supplies, the power transistor does not act as a variable resistor but as a switch instead. This generates a square-wave AC voltage that is transformed to the secondary circuit using a high-frequency transformer. In the secondary circuit, the voltage is rectifi ed and smoothed. The quantity of energy transformed to the secondary circuit is controlled, depending on the load, by varying the chopping rate. The longer the transistor is conductive, the higher is the quantity of energy transformed to the secondary circuit ( pulse width modulation).
Due to the use of high-frequency AC voltage, primary switch mode power supplies have the decisive advantage that their transformer can be of much smaller size than required for the transformation of low frequencies. This reduces the weight and the dissipation inside the unit. The effi ciency of these units is between 85 and 95 %. Since the output voltage does not directly depend on the input voltage, these units can be used for a wide input voltage range and can even be supplied with DC voltage. Furthermore, it is possible to buffer short-time mains voltage breakdowns up to 200 ms. However, the power failure buffering time is limited by the size of capacitor C1 since a longer buffering time requires a higher capacity and thus a bigger size of the capacitor. Especially in case of small power supplies this is not desirable.
Therefore, a practicable compromise has to be made between the size of the power supply and the buffering time.
Primary switch mode power supplies can be used for all purposes. For example, they are suitable for the supply of all kind of electronics as well as for electromechanical applications.
[ABB]

 

Тематики

• источники и системы электропитания

EN

• primary switch mode power supply

* * *

быть вы́полненным по́лностью на транзи́сторах — be fully transistorized

включа́ть транзи́стор по схе́ме, напр. с о́бщей ба́зой — connect a transistor in, e. g., a common-base [grounded-base] circuit

запира́ть транзи́стор — drive a transistor to cut-off, cut off [turn off] a transistor

испо́льзовать транзи́стор в акти́вном режи́ме [в акти́вной о́бласти] — bring a transistor into its active region

транзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме насыще́ния [в о́бласти насыще́ния] — the transistor is at saturation

транзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме обедне́ния — the transistor operates in the depletion mode

транзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме отсе́чки [в о́бласти отсе́чки] — the transistor is [operating] at cut-off

отпере́ть транзи́стор — render a transistor conductive, turn on a transistor

анало́говый транзи́стор — analog transistor

транзи́стор бегу́щей волны́ — travelling-wave transistor

бездре́йфовый транзи́стор — diffusion transistor

биполя́рный транзи́стор — bipolar transistor

бу́синковый транзи́стор — bead transistor

ва́куумно-осаждё́нный транзи́стор — vacuum deposited transistor

вы́ращенный транзи́стор — grown(-junction) transistor

высокочасто́тный транзи́стор — high-frequency transistor

герма́ниевый транзи́стор — germanium transistor

транзи́стор двойно́го леги́рования — double-doped transistor

двухба́зовый транзи́стор — double-base transistor

двухколле́кторный транзи́стор — double-collector transistor

двухэми́ттерный транзи́стор — double-emitter transistor

дискре́тный транзи́стор — discrete transistor

диффузио́нный транзи́стор ( изгоговленный по диффузионной технологии) — diffused transistor (не путать с бездре́йфовым транзи́стором diffusion transistor, где diffusion указывает на характер движения носителей)

транзи́стор для логи́ческой схе́мы — logic transistor

транзи́стор для переключа́тельных схем — switching(-type) transistor

дре́йфовый транзи́стор — drift transistor

изоли́рованный транзи́стор ( в монолитной интегральной схеме) — isolated transistor

интегра́льный транзи́стор — integrated transistor

кана́льный транзи́стор — field-effect [unipolar] transistor

конверсио́нный транзи́стор — post-alloy diffused transistor

кре́мниевый транзи́стор — silicon transistor

лави́нный транзи́стор — avalanche transistor

транзи́стор, леги́рованный зо́лотом — gold-doped transistor

МДП-транзи́стор — insulated-gate field-effect transistor, IGFET

МДП-транзи́стор с индуци́рованным кана́лом — induced-channel insulated-gate field-effect transistor, induced-channel IGFET

МДП-транзи́стор с проводя́щим кана́лом — conductive-channel insulated-gate field-effect transistor, conductive-channel IGFET

ме́за-транзи́стор — mesa transistor

микросплавно́й транзи́стор — microalloy transistor

транзи́стор микросхе́мы — transistor microelement

МОП-транзи́стор — metal-oxide-semiconductor transistor, MOS-transistor, MOSFET

МОП-транзи́стор, рабо́тающий в режи́ме обедне́ния — depletion-mode metal-oxide-semiconductor transistor, depletion-mode MOS-transistor, depletion-mode MOSFET

МОП-транзи́стор, рабо́тающий в режи́ме обогаще́ния — enhancement-mode metal-oxide-semiconductor transistor, enhancement-mode MOS-transistor, enhancement-mode MOSFET

мо́щный транзи́стор — power transistor

транзи́стор на криста́ллике — chip transistor

напылё́нный транзи́стор — evaporated transistor

обратнодиффу́зный транзи́стор — outdiffused transistor

обратнопла́вленный транзи́стор — meltback transistor

обращё́нный транзи́стор — inverce transistor

однокра́тно диффу́зионный транзи́стор — single-diffused transistor

одноперехо́дный транзи́стор — unijunction transistor

оптикоэлектро́нный транзи́стор — electrooptical transistor, optotransistor

плана́рный транзи́стор — planar transistor

плоскостно́й транзи́стор — junction transistor

пове́рхностно-барье́рный транзи́стор — surface-barrier transistor

пове́рхностно-сплавно́й транзи́стор — surface-alloy transistor

полево́й транзи́стор — field-effect transistor, FET

запере́ть полево́й транзи́стор по управля́ющему электро́ду — gate off a FET

отпере́ть полево́й транзи́стор по управля́ющему электро́ду — gate on a FET

полево́й транзи́стор с двумя́ затво́рами — double-gate field-effect transistor, double-gate FET

полево́й транзи́стор с затво́ром на гетероперехо́де — heterojunction-gate field-effect transistor, heterojunction-gate FET

полево́й транзи́стор с изоли́рованным затво́ром — insulated-gate field-effect transistor, IGFET

полево́й транзи́стор с индуци́рованным кана́лом — induced-channel field-effect transistor, induced-channel FET

пролё́тный транзи́стор — transit-time transistor

сверхминиатю́рный транзи́стор — subminiature transistor

СВЧ транзи́стор — microwave transistor

транзи́стор с гетероперехо́дом — heterojunction transistor

транзи́стор с инже́кцией носи́телей — injection-type transistor

сплавно́й транзи́стор — alloy transistor

транзи́стор с пла́вным перехо́дом — graded-junction transistor

транзи́стор с ре́зкими перехо́дами — abrupt-junction transistor

транзи́стор с эми́ттером встре́чно-штырево́й констру́кции — interdigitated transistor, IT

транзи́стор с эми́ттером гребе́нчатого ти́па — interdigitated transistor, IT

транзи́стор табле́точного ти́па — tab transistor

транзи́стор p [m2]-n [m2]-p [m2]-ти́па — p -n -p -transistor

транзи́стор p [m2]-n [m2]-p [m2]-n [m2]-ти́па — p -n -p -n -transistor

толстоплё́ночный транзи́стор — thick-film transistor

тонкоплё́ночный транзи́стор — thin-film transistor

то́чечный транзи́стор — point(-contact) transistor

тунне́льный транзи́стор — tunnel transistor

тя́нутый транзи́стор — grown-junction transistor

униполя́рный транзи́стор — unipolar [field-effect] transistor

управля́ющий транзи́стор — control transistor

четырёхсло́йный транзи́стор — four-layer transistor

четырёхэлектро́дный транзи́стор — four-electrode transistor

эпитаксиа́льный транзи́стор — epitaxial transistor

 

линейный регулируемый источник электропитания
-

Рис. ABB

The AC mains voltage is transformed to a lower level, rectified and smoothed by capacitor C1. Then, voltage regulation is performed, typically using a power transistor. The power transistor acts as a variable resistor, controlled to keep the output voltage constant.
The efficiency of linearly regulated power supplies is only approx. 50 % due to the high losses inside the power transistor. The remaining energy is emitted in the form of heat. Due to this, sufficient ventilation is required to cool the power supply. Compared with unregulated power supplies, linearly regulated power supplies have a very small residual ripple of the output voltage (in the dimension of millivolts).
Linearly regulated power supplies are used for all applications that require a very exact output voltage, e.g. for highly precise medical devices.
[ABB]

 

Тематики

• источники и системы электропитания

EN

• linearly regulated power supply